Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
криоэлектронная система свч с шумовой температурой 30-200 к.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
секция, находящаяся в процессе коммутации.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.