Дифракционный максимум
максимум интенсивности рассеянных рентгеновских луче.
элемент №14 периодической системы Д.И.Менделеева (IV группа, 3 период), атомная масса 28,086; известны 10 изотопов массовыми числами 25÷34; типичные степени окисления -IV, +II, +IV; темно-серое кристаллическое вещество с металлическим блеском, 1683 К; реагирует со многими расплавленными металлами, образуя силициды; в природе встречается в виде SiO2 и силикатов; происхождек названия - от лат. silex - кремень; русское название от греч. kremnos - утес; открыт в 1823 году И.Берцелиусом (Швеция); применяют в металлургии для раскисления, входит в состав железных, медных, алюминиевь и других сплавов, является основным полупровдниковым материалом и основой большой группы стекол.
Общая характеристика кремния
Кремний (Si) является представителем главной подгруппы IV группы Периодической...
химические свойства кремния (является типичным восстановителем):
${Si + O_2 = SiO_2}$,
${2Si + O_2...
= 2SiO}$,
${Si + SiO_2 = 2SiO}$,
${4Si + S_8 = 4SiS_2}$,
${Si + C = SiC}$,
${3Si + 4HNO_3 + 12HF = 3SiF...
Соединения кремния
К соединениям кремния относятся:
Оксид кремния (кремнезем)....
Их можно получить путем взаимодействия гидрида металла с кремнием:
${2CaH_2 + Si = Ca_2Si + H_2}$
Силициды
В работе представлены результаты исследования параметров тензорезисторов, изготовленных на структурах «кремний на изоляторе» (КНИ): Si/CaF2/Si и «кремний на сапфире» (КНС). Структуры КНС были промышленного производства, а слои Si/CaF2 выращены на подложках Si(100) методом молекулярно-лучевой эпитаксии в замкнутом технологическом цикле. Тензорезисторы в обоих случаях имели одинаковую толщину и топологию, а их легирование проводилось методом ионной имплантации бором с одинаковыми дозами и энергией. Для активации атомов примеси и устранения радиационных дефектов в эпитаксиальном слое кремния обеих структур был применен быстрый термический отжиг. Впервые показана возможность изготовления кремниевых тензорезисторов на нанометровых структурах Si/CaF2. Экспериментальные зависимости Rсопротивления от приложенной нагрузки носят линейный характер и качественно совпадают с расчетными зависимостями. При одинаковых параметрах тензорезисторов качество слоев Si на CaF2/Si и их стоимость существенн...
Общая характеристика
Карбиды и силициды представляют собой соединения углерода и кремния с металлами...
от углерода к водороду, и большим сродством кремния к кислороду....
Его можно назвать либо карбидом кремния, либо силицидом углерода....
Взаимодействие углерода или кремния с активным металлом:
${Ca + 2C = CaC_2}$;
${2Mg + Si = Mg_2Si}...
Взаимодействие кремния с гидридом металла:
${2CaH_2 + Si = Ca_2Si + 2H_2}$,
Химические свойства
В статье описаны результаты исследований технологии выращивания кремниевых затравок (Si-затравок) для процесса получения поликристаллического кремния электронного качества. Изучены закономерности и тепловые условия кристаллизации кремния, обеспечивающие качественные характеристики процесса водородного восстановления хлоридов кремния. Предложенна методика выполнения экспрессного контроля поликристаллического кремния по определению содержания примеси бора.
максимум интенсивности рассеянных рентгеновских луче.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.
квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне