Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
качество изображения, определяемое частотно-контрастной характеристикой; качество изображения следует измерять в составе оптических элементов схем, в которых должны быть использованы микролинзы, предпочтительно для заданных углов падения.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
объект, вносящий фазовую модуляцию в волновой фронт.