элемент №77 периодической системы Д.И.Менделеева (VIII группа, 6 период), атомная масса 192,2; известны 31 изотоп с массовыми числами 168÷198, типичные степени окисления +III, +IV, +VI; тяжелый серебристо-белый, очень твердый и хрупкий металл, устойчив к химическим воздействиям: нерастворим в кислотах и царской водке; Тпл 2683 К; принадлежит к платиновым металлам; в самородном виде встречается редко, чаще в виде осмистого иридия; происхождение названия - от греч. iris радуга; открыт в 1804 году С.Теннантом (Великобритания); применяют как катализатор в органическом синтезе, в качестве компонента сплавов с платиной и осмием (электроды, термометры, твердые наконечники, хирургические инструменты, детали для часов и др), для изготовление тиглей, как защитное коррозионностойкое покрытие, для изготовления слаботочных контактов и др..
Ru}$ Рутений;
45 $\mathrm{Rh}$ Родий;
46 $\mathrm{Pd}$ Палладий;
76 $\mathrm{Os}$ Осмий;
77 $\mathrm{Ir...
}$ Иридий;
78 $\mathrm{Pt}$ Платина;
108 $\mathrm{Hn}$ Ханий;
109 $\mathrm{Mt}$ Мейтнерий;
110 $\mathrm
Приведены результаты исследования анодного поведения металлов (Ir,Fe,Ni) в индивидуальном виде и в сплавах (Fe-Ir), (Fe-Ni-Ir) при электролизе сульфатных и суль-фатно-хлоридных растворов и данные количественного содержания иридия в растворах при поляризации чистого иридия и сплавов в зависимости от состава электролита и величины потенциала, а также рассчитаны коэффициенты избирательного растворения компонентов сплава в условиях его пассивного состояния.
Исследована каталитическая активность 10 -4-10 -5 М растворов комплексных хлоридов Ir(III) и Ir(IV) в индикаторной реакции окисления сульфарсазена периодатом калия спектрофотометрическим и кинетическим методами. Даны рекомендации по приготовлению растворов сравнения иридия для каталитического метода.
интервал времени от нанесения клея до соединения склеиваемых поверхностей в условиях окружающей среды; время открытой выдержки необходимо для удаления растворителя из полимерного клеевого слоя, заполнения клеем неровностей и пор, вытеснения из них воздуха и образования на склеиваемой поверхности слоя клея равномерной толщины.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
