Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
цифровая голограмма, полученная путем регистрации дифракционного поля импульсного широкополосного терагерцового излучения в виде пространственно-временного распределения комплексной амплитуды поля в широком лучке терагерцового излучения.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
область проводимости между двумя электродами газоразрядного прибора.