Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
реакция фотоумножителя (фотоэлемента) в виде изменения тока анода на воздействие дельта-импульса излучения.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
восьмиэлектродная электронно-управляемая лампа, имеющая анод, катод, управляющий электрод и пять дополнительных электродов.