Геометрическая ось полупроводникового излучателя
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
зависимость глубины модуляции сигнала на выходе фотоумножителя от частоты синусоидального модулированного светового потока или потока излучения.
Рассматривается архитектура трансимпедансных преобразователей сигналов (ТПС) с расширенным частотным диапазоном. Приводится функциональная схема классического ТПС лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей и его модификация с повышенным значением верхней граничной частоты. Получены основные уравнения ТПС, описывающие его свойства в широком диапазоне частот. Рассматриваются результаты компьютерного моделирования в среде P Spice на моделях интегральных транзисторов «АБМК_1_3» (амплитудно-частотная характеристика при различных значениях специального корректирующего конденсатора С var ), которые показывают, что верхняя граничная частота предлагаемого ТПС увеличивается в 7–10 раз. Приведена перспективная схема преобразователя «ток-напряжение» с парафазным выходом и низкоомным дифференциальным входом, к которому могут подключаться дифференциальные сенсоры.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
прибор для измерения освещенности.
оптический спектральный прибор, предназначенный для визуального наблюдения спектров.