Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
зависимость глубины модуляции сигнала на выходе фотоумножителя от частоты синусоидального модулированного светового потока или потока излучения.
Рассматривается архитектура трансимпедансных преобразователей сигналов (ТПС) с расширенным частотным диапазоном. Приводится функциональная схема классического ТПС лавинных фотодиодов и кремниевых фотоумножителей и его модификация с повышенным значением верхней граничной частоты. Получены основные уравнения ТПС, описывающие его свойства в широком диапазоне частот. Рассматриваются результаты компьютерного моделирования в среде P Spice на моделях интегральных транзисторов «АБМК_1_3» (амплитудно-частотная характеристика при различных значениях специального корректирующего конденсатора С var ), которые показывают, что верхняя граничная частота предлагаемого ТПС увеличивается в 7–10 раз. Приведена перспективная схема преобразователя «ток-напряжение» с парафазным выходом и низкоомным дифференциальным входом, к которому могут подключаться дифференциальные сенсоры.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
камера, содержащая в качестве радиатора газ гелий-3.
счетчик нейтронов, содержащий в качестве радиатора газ гелий-3.