Геометрическая ось полупроводникового излучателя
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
интервал времени между моментом подачи напряжения питания и моментом, начиная с которого значение тока анода фотоумножителя (фотоэлемента) отличается от установившегося значения не более чем на ±20 %.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
геометрическое место точек поверхности, в которых освещенность одинакова.
прибор для измерения освещенности.