кристаллическая решётка, не имеющая дефектов кристаллического строения.
Из традиционных идеальных металлов, керамики и композиционных элементах происходит активное участие во...
нюансы и спектры, но и разгадать многие сложные загадки в поведении твердых физических тел, прежде всего идеальных...
Определение 1
Структура любого кристалла весьма упорядочена — это обычная кристаллическая решётка...
решётки....
Один из самых распространенных — кванты или фотоны упругих колебаний кристаллической решётки, которые
В статье приведены разработанные алгоритмы реконструкции множества узлов кристаллических решёток. Алгоритмы являются модификацией алгоритма обратного проецирования из компьютерной томографии. Первый алгоритм основан на дискретизации прямой. Второй алгоритм основан на минимизации расстояния до проецируемой на плоскость прямой. Разработан метод моделирования трёхмерной структуры узлов идеальной кристаллической решётки. Проведено исследование на наборе кристаллических решёток. Результаты исследований с ориентированными под проекции решётками показали, что первый алгоритм восстанавливает решётку в 89% правильно, а второй в 98%. В задаче минимизации расстояния отсутствуют аппроксимации, поэтому второй алгоритм восстанавливает решётки качественнее, нежели первый.
Авторами статьи обсуждена новая модель сверхпроводимости (СП), предложенная в работах В.А. Чижова. Новая модель позволяет глубже понять механизм возникновения СП и объяснить многие экспериментальные факты на основе теории процессов, происходящих в идеальном дефекте кристаллической решётки двойниковой границе (МСП-ДГ). С помощью МСП-ДГ дана трактовка эффекта Мейснера-Оксенфельда, изучено образование, эволюция и разрушения вихрей Абрикосова и связанных с ними крип токов. Проведено количественное сопоставление теоретических оценок МСП-ДГ с экспериментальными данными. Показано хорошее соответствие. Предложены способы борьбы с крип током. Описаны материалы, в том числе новые, которые в соответствии с теорией МСП-ДГ должны обладать улучшенными свойствами высокотемпературной сверхпроводимости. Сформулированы перспективные направления дальнейших исследований.
интервал времени от нанесения клея до соединения склеиваемых поверхностей в условиях окружающей среды; время открытой выдержки необходимо для удаления растворителя из полимерного клеевого слоя, заполнения клеем неровностей и пор, вытеснения из них воздуха и образования на склеиваемой поверхности слоя клея равномерной толщины.
трещины, возникшие в процессе чрезмерно быстрого охлаждения при закалке.
пластмасса с использованием полимеров, в которых повторяющиеся структурные звенья в цепях относятся к эфирному типу и также присутствуют другие типы повторяющихся структурных звеньев, причем сложноэфирный компонент или компоненты представлены в наибольшем количестве.
