несовершенство кристаллического строения — нарушение периодического расположения атомов в узлах кристаллической решётки.
Предлагается общий механизм неустойчивости однородного поля распределения дефектов большой плотности. Он состоит в возникновении потока дефектов против градиента их концентрации за счёт деформации решётки, обусловленной, в свою очередь, скоплениями дефектов. Получены кинетические уравнения на основе модели дефектов в линейной теории упругости. Показано, что неустойчивость концентрации дефектов возникает при достижении некоторой критической величины
Получена резонансная аппроксимация коэффициентов отражения и пропускания брэгговской решётки с дефектом как функция частоты и тангенциальных компонент волнового вектора падающего излучения. Представленные результаты строгого моделирования полностью подтверждают предложенное теоретическое описание.
интервал времени от нанесения клея до соединения склеиваемых поверхностей в условиях окружающей среды; время открытой выдержки необходимо для удаления растворителя из полимерного клеевого слоя, заполнения клеем неровностей и пор, вытеснения из них воздуха и образования на склеиваемой поверхности слоя клея равномерной толщины.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
