Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
стекло, рассеивающее свет за счет оптической неоднородности массы стекла.
Исследованы различные типы глушителей стекла с целью их применения для получения эмалей, обладающих эффектом опалесценции. Рассмотрено получение опалесцирующих эмалей на основе калийсвинцовосиликатного стекла с добавлением оксида фосфора. Изучен механизм глушения стекол данной системы в присутствии P 2O 5.
Представлен обзор экспериментальных данных, касающихся синтеза оксигалогенидных щелочно-силикатных стёкол составов, используемых для изготовления ионоселективных мембран. Рассмотрены механизмы встраивания галогенов и их структурная роль в стекле. Предложены модели для оценки количеств галогенидов, которые можно ввести в гомогенный расплав. Обозначены причины глушения и потерь компонентов при синтезе оксигалогенидных стёкол. Библиогр. 25 назв. Ил. 9.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.
пластмасса с использованием полимеров, в которых повторяющиеся структурные звенья в цепях относятся к эфирному типу и также присутствуют другие типы повторяющихся структурных звеньев, причем сложноэфирный компонент или компоненты представлены в наибольшем количестве.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне