Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расстояние от поверхности науглероженного металла (изделия) до условной границы, определяемой заданным параметром, характеризующим слой, обогащённый углеродом; критерием для установления границы служит структура, состоящая из 50 % феррита и 50 % перлита, что соответствует » 0,4 % С.
Цементация стали....
Цементация в вакууме и твердой среде
Определение 2
Цементация стали – это диффузионное насыщение...
Для науглероживания поверхностного слоя, сталь нагревается до температуры в диапазоне от 850 до 950 градусов...
Цементация является достаточно продолжительным процессом....
камере создается вакуумическое давление; процесс повторяется до тех пор, пока не получится требуемая глубина
Проведено исследование структуры, фазового состава и свойств цементованных покрытий, полученных различными методами на сталях 20Х, 12ХН3А и 20ХН3А (3 варианта: цементация в твердом карбюризаторе, газовая цементация и цементация в кипящем слое). С помощью послойного рентгеноструктурного анализа более детально были рассмотрены и уточнены некоторые аспекты формирования остаточного аустенита в градиентных слоях цементованных широко применяемых низкоуглеродистых сталей. Определены такие параметры остаточного аустенита, как распределение по глубине цементованного слоя, концентрация углерода, напряженное состояние. Получено экстремальное распределение остаточного аустенита в поверхностном слое после цементации и последующей стандартной термической обработки исследуемых сталей. Большое количество остаточного аустенита в структуре цементованных слоев после окончательной обработки (до 50 % остаточного аустенита в максимуме) не приводит к резкому падению микротвердости по глубине слоя. Микротв...
Температура процесса, в производственных условиях, выбирается на основе информации о необходимой степени науглероживания...
Перечисленные методы отличаются друг от друга глубиной насыщения и технологией....
Время процесса зависит от необходимой глубины цементации....
В данном случае глубина насыщения не превышает двух миллиметров....
Некоторая часть газа может подвергаться модификации с целью увеличения глубины проникновения.
Процесс электроискровой цементации, в отличие от традиционной химико-термической обработки, эффективен для обработки крупногабаритных изделий и поверхностей. Способ электроискровой цементации существенно снижает энергоемкость процесса, повышает производительность. Отсутствие длительных выдержек при высоких температурах не приводит к росту зерна аустенита. Такие характеристики закаленного слоя, как степень науглероживания и его глубина, могут быть увеличены при реализации процесса в поле ультразвуковых колебаний. Обработка ультразвуком основного металла в процессе электроискрового легирования представляет собой актуальную, однако непростую задачу для исследователей. В данной статье реализована резонансная схема введения ультразвуковых колебаний с образованием стоячей ультразвуковой волны. Наибольшее увеличение степени цементации обнаружено в области узла колебаний стоячей ультразвуковой волны, где циклические растяжения и сжатия способствуют увеличению доли избыточных фаз. Существенн...
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
полимер стирола.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве