Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
промежуточные фазы, тип кристаллической решетки которых определяется величиной электронной концентрации; например, β, γ и ε фазы в системе Cu-Zn.
Выполнены рентгеноструктурные исследования фазового состава и параметров твердого раствора нанопористых металлических материалов, полученных методом селективной лазерной сублимации. При проведении исследований использовался рентгеновский дифрактометр общего назначения ДРОН 7. Проведенный рентгеноструктурный анализ показал, что в результате лазерного воздействия с высокой частотой следования импульсов кристаллическая структура латуни Л62 изменилась: параметр кристаллической ГЦК решетки α твердого раствора увеличился от значения a = 0,3625 нм до a = 0,3651…0,3684 нм; плотность дефектов кристаллического строения повысилась; концентрация фаз Юм Розери в обработанной латуни Л62 увеличилась.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
химическоe соединениe элемента с кислородом.
квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации.