Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
интерметаллид, образующийся переходными металлами, например, в системе Fe−Cr, имеющий сложную тетрагональную решетку и характеризуемый, как правило, широкой областью гомогенности.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
сложнолегированные никелевые кислотостойкие сплавы, содержат 18-22% Сr, 6% Mo, 6% Fe, 6% Сu, 3% W, 2% Al, 0,02% Ti.
дешевый ювелирный и декоративный сплав, содержащий 5% Ag, 5% Сu, Al - ост..