Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
спектральная дифракционная решетка, имеющая штрихи ступенчатого профиля и применяемая в низких порядках спектра преимущественно в инфракрасной области спектра.
Исследованы процессы получения полимерных нанои микрооптических элементов методом контактного копирования с использование гибкого штампа. На примере копирования линзы Френеля определена точность передачи формы при копировании. На примере копирования эшелеты 1800 лин./мм определена возможность копирования наноструктур.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
необратимая тонкослойная регистрирующая среда, содержащая светочувствительные наночастицы галогенидов серебра в желатиновой матрице.
прибор для измерения освещенности.