Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
спектральная дифракционная решетка, имеющая штрихи ступенчатого профиля и применяемая в низких порядках спектра преимущественно в инфракрасной области спектра.
Исследованы процессы получения полимерных нанои микрооптических элементов методом контактного копирования с использование гибкого штампа. На примере копирования линзы Френеля определена точность передачи формы при копировании. На примере копирования эшелеты 1800 лин./мм определена возможность копирования наноструктур.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
фотометр для измерения углового распределения световых характеристик среды или поверхности.
фазовая синтезированная голограмма с углом «блеска».