Глобальная оптимизация радиоэлектронной схемы
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
электрический переход между эмиттерной и базовой областями полупроводникового прибора.
С точки зрения проводимости коллекторный и эмиттерный слои неразличимы, но при этом они отличаются друг...
Базовый слой легируется слабо, потому что он располагается между эмиттерным и коллекторным слоями и поэтому...
В активном режиме работы транзистор включается таким образом, чтобы его эмиттерный переход был смещен...
В режиме отсечки оба p-n перехода закрыты....
В коллекторную или эмиттерную цепь транзистора включается резистор, который задает электрический ток
Предложена аналитическая модель разогрева электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора при воздействии стационарного потока квантов высоких энергий. Теоретически показано, что зависимость средней энергии электронного газа на границе пространственного заряда коллекторного перехода и нейтральной области тонкой базы от ее толщины носит как монотонный, так и немонотонный характер, однозначно определяемый сочетанием величин приложенного напряжения к эмиттерному переходу транзистора и темпа генерации горячих радиационно-генерированных носителей заряда.
В полупроводниковой структуре биполярного транзистора два р-n перехода, перенос заряда осуществляется...
открыт, переход коллектор-база закрыт), инверсный активный (эмиттерный переход - обратное смещение,...
коллекторный прямое), насыщенный режим (оба перехода открыты), режим отсечки и барьерный режим....
коллектор
В активном усилительном режиме работы биполярный транзистор подключается таким образом, что его эмиттерный...
Полевые транзисторы делятся на:
Транзисторы с управляющим p-n переходом.
Обсуждаются задачи, относящиеся к применению параметров и характеристик НЧ шума для оценки качества транзисторных структур. Предложена физическая эквивалентная шумовая схема транзисторной структуры, учитывающая неоднородность токораспределения по площади эмиттерного перехода и влияние распределенных сопротивлений активн ых областей. Обсуждается возможность использования предложенной схемы для анализа экспериментальных результатов и обоснованного выбора режимов и условий измерения НЧ шума в задачах диагностики транзисторных структур. Результаты теоретического анализа подтверждаются экспериментом.
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
изолятор, образующий проход для проводника через неизолированную перегородку.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне