Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
электрический переход между эмиттерной и базовой областями полупроводникового прибора.
С точки зрения проводимости коллекторный и эмиттерный слои неразличимы, но при этом они отличаются друг...
Базовый слой легируется слабо, потому что он располагается между эмиттерным и коллекторным слоями и поэтому...
В активном режиме работы транзистор включается таким образом, чтобы его эмиттерный переход был смещен...
В режиме отсечки оба p-n перехода закрыты....
В коллекторную или эмиттерную цепь транзистора включается резистор, который задает электрический ток
Предложена аналитическая модель разогрева электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора при воздействии стационарного потока квантов высоких энергий. Теоретически показано, что зависимость средней энергии электронного газа на границе пространственного заряда коллекторного перехода и нейтральной области тонкой базы от ее толщины носит как монотонный, так и немонотонный характер, однозначно определяемый сочетанием величин приложенного напряжения к эмиттерному переходу транзистора и темпа генерации горячих радиационно-генерированных носителей заряда.
В полупроводниковой структуре биполярного транзистора два р-n перехода, перенос заряда осуществляется...
открыт, переход коллектор-база закрыт), инверсный активный (эмиттерный переход - обратное смещение,...
коллекторный прямое), насыщенный режим (оба перехода открыты), режим отсечки и барьерный режим....
коллектор
В активном усилительном режиме работы биполярный транзистор подключается таким образом, что его эмиттерный...
Полевые транзисторы делятся на:
Транзисторы с управляющим p-n переходом.
Обсуждаются задачи, относящиеся к применению параметров и характеристик НЧ шума для оценки качества транзисторных структур. Предложена физическая эквивалентная шумовая схема транзисторной структуры, учитывающая неоднородность токораспределения по площади эмиттерного перехода и влияние распределенных сопротивлений активн ых областей. Обсуждается возможность использования предложенной схемы для анализа экспериментальных результатов и обоснованного выбора режимов и условий измерения НЧ шума в задачах диагностики транзисторных структур. Результаты теоретического анализа подтверждаются экспериментом.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
электрическая лампа, предназначенная для накачки лазера.
контуры сигнального графа, не имеющие общих узлов.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве