Справочник от Автор24
Найди эксперта для помощи в учебе
Найти эксперта
+2

Эмиттерная область

Предмет Электроника, электротехника, радиотехника
Разместил 🤓 Elena_whish
👍 Проверено Автор24

область полупроводниковоrо прибора, назначением которой является инжекция носителей заряда в базовую область.

Научные статьи на тему «Эмиттерная область»

Биполярный транзистор

С точки зрения проводимости коллекторный и эмиттерный слои неразличимы, но при этом они отличаются друг...
В активном режиме работы транзистор включается таким образом, чтобы его эмиттерный переход был смещен...
являются носителями заряда эмиттере, инжектируются (проходят через открытый переход эмиттер-база в область...
Но из-за малой легированности базы, часть носителей заряда эмиттера диффундируют в область коллектора...
В коллекторную или эмиттерную цепь транзистора включается резистор, который задает электрический ток

Статья от экспертов

О влиянии распределения электронов в приконтактной области и асимметрии РТД структуры на высокочастотный отклик и возможности регистрации квантового режима усиления во внешнем высокочастотном электрическом поле

Проведен теоретический анализ условий реализации квантового режима генерации микроволнового излучения в полупроводниковых резонансно-туннельных диодных (РТД) структурах. Методами численного моделирования проанализирован высокочастотный отклик в структурах с симметричными и асимметричными барьерами. Исследовано влияние фермиевского распределения носителей заряда в приконтактной области. Показано, что оптимальными с точки зрения экспериментального наблюдения квантового режима усиления являются асимметричные структуры с пониженной концентрацией примесей (1017 см~3) в эмиттерной области.

Научный журнал

Биполярные транзисторы, полевые транзисторы, каскад на биполярном транзисторе

нормальный активный (переход эмиттер-база открыт, переход коллектор-база закрыт), инверсный активный (эмиттерный...
коллектор В активном усилительном режиме работы биполярный транзистор подключается таким образом, что его эмиттерный...
В транзисторах типа n-р-n электроны (основные носители заряда) инжектируются в область базы....
слабо легированной, большинство электронов, которые были инжектированны из эмиттера, диффундируют в область...
В транзисторах с индуцированным каналом проводящий канал между сильнолегированными областями стока и

Статья от экспертов

Аналитическая модель разогрева электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора на основе Ge, Si и GaAs при воздействии стационарного потока квантов высоких энергий

Предложена аналитическая модель разогрева электронного газа в тонкой базе биполярного транзистора при воздействии стационарного потока квантов высоких энергий. Теоретически показано, что зависимость средней энергии электронного газа на границе пространственного заряда коллекторного перехода и нейтральной области тонкой базы от ее толщины носит как монотонный, так и немонотонный характер, однозначно определяемый сочетанием величин приложенного напряжения к эмиттерному переходу транзистора и темпа генерации горячих радиационно-генерированных носителей заряда.

Научный журнал

Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»

Общая емкость тиристора

емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.

🌟 Рекомендуем тебе
Смотреть больше терминов

Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!

  1. Напиши термин
  2. Выбери определение из предложенных или загрузи свое
  3. Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
Все самое важное и интересное в Telegram

Все сервисы Справочника в твоем телефоне! Просто напиши Боту, что ты ищешь и он быстро найдет нужную статью, лекцию или пособие для тебя!

Перейти в Telegram Bot