картина дифракции электронов, полученная при съемке на просвет.
В работе описается состав и возможности автоматизированного управляющего вычислительного комплекса на базе микроденситометра MD-100, предназначенного для сбора и первичной обработки данных газовой электронографии. Комплекс позволяет сканировать дифракционную картину с заданным шагом или с шагом обратно пропорциональным первой производной сигнала. В каждой точке измерения величины пропускания ведутся до заданного максимального числа отсчетов или до заданного среднеквадратичного отклонения. Накапливаемые величины среднеквадратичных отклонений используются в качестве весов для сглаживания кривых пропускания с использованием кубических аппроксимационных сплайнов. Уточнение центра дифракционной картины выполняется в ходе итерационного процесса при сравнении по методу наименьших квадратов левой и правой ветвей дифракционной картины. Усредненные по нескольким фотопластинкам интенсивности полного рассеяния выводятся в цифровом и графическом виде. По интенсивности рассеяния от газообразного ...
Изучена морфология плоскостей роста пленок теллурида кадмия синтезированных на нагретой подложке (равновесные условия), которая соответствует классической теории зародышеобразования. Представлены электронограммы на отражение пленок различной структуры: от поликристаллической до состоящей из монокристаллических блоков.
интервал времени от нанесения клея до соединения склеиваемых поверхностей в условиях окружающей среды; время открытой выдержки необходимо для удаления растворителя из полимерного клеевого слоя, заполнения клеем неровностей и пор, вытеснения из них воздуха и образования на склеиваемой поверхности слоя клея равномерной толщины.
закалка, осуществляемая путем охлаждения в струях жидкости, обычно воды.
индексы отражающей плоскости n -порядка.
