картина дифракции электронов, полученная при съемке на отражение.
Изучена морфология плоскостей роста пленок теллурида кадмия синтезированных на нагретой подложке (равновесные условия), которая соответствует классической теории зародышеобразования. Представлены электронограммы на отражение пленок различной структуры: от поликристаллической до состоящей из монокристаллических блоков.
интервал времени от нанесения клея до соединения склеиваемых поверхностей в условиях окружающей среды; время открытой выдержки необходимо для удаления растворителя из полимерного клеевого слоя, заполнения клеем неровностей и пор, вытеснения из них воздуха и образования на склеиваемой поверхности слоя клея равномерной толщины.
трещины, возникшие в процессе чрезмерно быстрого охлаждения при закалке.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
