Зона проводимости полупроводника
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
частичная дислокация в двойнике со ступенчатой границей, расположенная вдоль границы двойника и не лежащая в плоскости двойникования.
Место образования трещин чаще всего можно найти у дислокаций или препятствий, это также могут быть границы...
зерен, избыточные фазы, двойники....
Определение 1
Двойники отжига – это нарушение кристаллической структуры в результате рекристализационного
Разработан метод расчета распределения компонент тензора пластической деформа-ции, тензора пластической дисторсии, тензора плотности дислокаций в случае двойни-кования. Предложен метод задания распределения дислокаций у двойниковых границ. Установлено, что в случае двойникования пластическая деформация локализуется у двойниковых границ.
В нормализованной структуре титана ВТ 1-0 с зеренной ориентацией (0001) концентрированным напряжением, создаваемым алмазной пирамидкой под нагрузкой, осуществляется процесс образования двойникующих дислокаций. Вышедшие на поверхность зерна механические двойники, их геометрия, размеры и последовательность образования определялись с помощью приборов акустической эмиссии и другого высокочувствительного оборудования. Полученный статистический материал позволяет сделать ряд важных выводов о природе образования двойников.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
индексы отражающей плоскости n -порядка.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне