Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
двойник, образующийся в процессе рекристаллизационного отжига металлов и сплавов с низкой энергией дефектов упаковки.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
индексы отражающей плоскости n -порядка.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.