Вязкость ударная
механическое свойство, характеризующее поглощение механической энергии твердыми телами в процессе деформации и разрушения под действием ударной нагрузки.
Донорный полупроводник
Предмет
Материаловедение
👍 Проверено
Автор24
примесный полупроводник с донорной примесью.
Научные статьи на тему «Донорный полупроводник»
Собственная и примесная проводимость полупроводников
Примеси, которые поставляют электроны в зону проводимости, называют донорами (донорными примесями)....
Дополнительные энергоуровни, при этом, называют донорными уровнями....
Полупроводники, имеющие донорные примеси называют электронными (полупроводниками n-типа)....
Следовательно, получается, что мышьяк является донорной примесью для кремния....
Ответ: Мышьяк -- донорная примесь в решетке кремния, бор -- акцепторная примесь для кремния.
Статья от экспертов
Донорно-акцепторные пары для оптического охлаждения полупроводников
В работе представлена идея управления прямыми и непрямыми переходами в полупроводниках, облучаемых внешним когерентным источником света. Мы предлагаем использовать активированную гетероструктурную геометрию материала, в котором заданное распределение донорно-акцепторных пар позволит контролировать плотность электрон-дырочных состояний. Обсуждается применение этого метода для лазерного охлаждения полупроводников.I
Creative Commons
Научный журнал
Полупроводники p и n типа, p-n переход
Эти уровни заполненные электронами называют донорными....
полупроводника....
После того как электроны переброшены в зону проводимости с донорных уровней, говорят, что в полупроводнике...
Полупроводники с донорной примесью называют электронными (донорными) или полупроводниками n-типа (negative...
p-n переход
p-n переход создают в естественном полупроводнике легированием донорными и акцепторными
Статья от экспертов
Об уровне энергии глубокого донора в полупроводниках с вакансиями в анионной решетке
По результатам количественного анализа барических и температурных зависимостей кинетических коэффициентов исследован примесный электронный спектр нелегированных объемных кристаллов арсенидов n -типа InAs, GaAs, CdSnAs2, CdGeAs2 и CdTe, ZnO. Выяснено, что в вышеперечисленных полупроводниках собственному дефекту вакансии в анионной подрешетке соответствует глубокий донорный центр. Определены положения уровней энергии относительно края зоны проводимости и коэффициенты давления энергетических зазоров между ними и соответствующим дном зоны проводимости. Наблюдается смещение уровней энергии глубоких донорных центров в глубь зоны проводимости с уменьшением ширины запрещенной зоны в вышеперечисленных полупроводниках. Зависимости коэффициента Холла и удельного электросопротивления от давления в nInAs и nCdSnAs2 подобны, что обусловлено наличием глубокого донорного центра, уровень энергии которого находится на сплошном спектре зоны проводимости в обоих соединениях, а различие в величинах давл...
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Индексы Лауэ
индексы отражающей плоскости n -порядка.
Оксид
химическоe соединениe элемента с кислородом.
- Донорный
- Донорная примесь
- Полупроводники
- Полупроводник
- Донорный организм (источник ДНК)
- Акцепторный полупроводник
- Вырожденный полупроводник
- Дырочный полупроводник
- Магнитный полупроводник
- Невырожденный полупроводник
- Примесный полупроводник
- Простой полупроводник
- Скомпенсированный полупроводник
- Сложный полупроводник
- Собственный полупроводник
- Электронный полупроводник
- Полупроводники (Semiconductors)
- Полупроводник n-типа, электронный полупроводник
- Валентная зона полупроводника
- Демаркационный уровень полупроводника
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
