Внеосевая цифровая голограмма
цифровая голограмма, полученная во внеосевой схеме.
разность потенциалов между катодом и воображаемой сплошной поверхностью, помещенной на место данного электрода, обуславливающая такую же напряженность электрического поля в рассматриваемой области междуэлектродного пространства, как та, которая создается в этой области всеми электродами реального электровакуумного прибора при заданных напряжениях электродов.
цифровая голограмма, полученная во внеосевой схеме.
интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе оптоэлектронного переключателя от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения.
интервал времени между моментом поступления импульса излучения на фотокатод и моментом появления сигнала в цепи анода фотоумножителя.