Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
параметр электронорезиста, количественно характеризующий способность к изменению под воздействием ускоренного потока электронов химических свойств с переходом в нерастворимое (негативный) или растворимое (позитивный) состояние.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне