Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
центр окружности наименьшего диаметра на поперечном сечении оптического волокна, внутри которой может быть полностью заключено поперечное сечение сердцевины (оболочки, защитного покрытия).
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
рефрактометр, применяемый при геодезических измерениях.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.