Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
внешняя поверхность оптического волокна, имеющая постоянное значение показателя преломления по поперечному сечению и определяющая совместно с сердцевиной структуру поля распространяющегося оптического излучения.
оптическое волокно, которое изготавливается на основе чистого кварцевого стекла....
кабеля обусловлен собственными потерями в оптических волокнах, а также дополнительными потерями, которые...
Дополнительные потери оптического кабеля обусловлены деформацией оптического волокна в процессе эксплуатации...
волокна....
оптического излучения в случае его распространения по оптическому волокну благодаря рассеянию во времени
Представлен метод локализации дефекта оболочки оптического волокна. Описывается физическая модель дефекта оболочки оптического волокна и экспериментальные исследования локализации дефекта предложенным методом, основанным на сравнение поляризационных характеристик обратного рассеяния короткого участка оптического волокна, измеренных до и после появления дефекта.
фотоприемника при помощи ответвлителя, растворение оболочки, бесконтактное соединение волокна, шлифование...
оболочки и т. п....
Растяжения волокна является причиной изменения отношения показателя преломления оболочки к преломлению...
оптического волокна....
Данное явление представляет собой приведение в оптический контакт с волокном другого волокна, у которого
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
время, прошедшее с момента измерения измеряемой величины или начала принудительного цикла измерения до момента получения нового результата измерения на отсчетном устройстве с нормированной погрешностью.
предел разрешения ЭОП при заданных освещенности и контрасте штриховой миры.