Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
борирование в расплавах солей бора при электролизе.
В работе проведен анализ химических связей в расплавленных электролитах, используемых при борировании, цементации и силицировании. Установлена электрохимическая общность массопереноса в жидкостных безэлектролизных процессах химико-термический обработки, связанная с работой во время насыщения короткозамкнутых микрогальванических элементов. Анодный процесс протекает на поверхности электрохимического восстановителя, а катодный на обрабатываемой поверхности. Массоперенос в расплавленных электролитах осуществляется посредством ионов низших валентностей (субионов) в режиме самоорганизации. В качестве электрохимических восстановителей использованы лигатуры, широко применяемые в литейном производстве и других технологических процессах.
Цель исследование процессов электроосаждения бора, титана и алюминия на углеграфитовых катодах; определение возможных путей преодоления существующих ограничений применения твердых катодов для электролиза криолитоглиноземных расплавов. Рентгенофазовый анализ проводился на автоматизированном рентгеновском дифрактометрическом оборудовании фирмы Shimadzu XRD-6000 (излучение CuKα, графитовый монохроматор). Микроструктура поверхности образцов исследовалась на растровом электронном микроскопе JEOL JSM 7001F (Япония). Рентгеноспектральный микроанализ, энергодисперсионный микроанализ электродвижущей силы (SEM-EDS анализ) и ЭДС-картирование (EDS-mapping) выполнены на энергодисперсионном спектрометре Oxford Instruments (Великобритания). По результатам реализации электрохимического синтеза диборида титана TiB2 при температуре ~975°С, плотности тока 0,82 А/см2 с последующим осаждением алюминия на углеродном катоде и исследованием поверхности методами рентгенофлуоресцентного анализа, а также элек...
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
изделие из прозрачного стекла, на поверхность которого последовательно нанесены отражающее металлическое и защитное лакокрасочное покрытия, характеризующееся высоким коэффициентом отражения света.
индексы отражающей плоскости n -порядка.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне