Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
низкотемпературная термомеханическая обработка стали, заключающаяся в пластической деформации в области метастабильного аустенита ниже температуры рекристаллизации с последующей закалкой, приводящей к образованию мартенсита и (или) бейнита.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
изделие из прозрачного стекла, на поверхность которого последовательно нанесены отражающее металлическое и защитное лакокрасочное покрытия, характеризующееся высоким коэффициентом отражения света.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.