Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
явление избирательного резонансного поглощения энергии электромагнитных волн антиферромагнетиком.
Исследованы магнитные свойства гетероструктур, состоящих из платины Pt, эпитаксиально выращенного манганита La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO), редкоземельных интерметаллических сверхрешеток, состоящих из обменно-связанных слоёв TbCo2/FeCo (TCFC), а также эпитаксиальной пленки железо-иттриевого граната Y3Fe5O12 (YIG). Материал TCFC обеспечивает гигантскую магнитострикцию, большое значение коэффициента магнитомеханической связи, управляемую наведенную магнитную анизотропию. Кроме того, в этом материале, так же как в Pt, имеется сильное спин-орбитальное взаимодействие. Проведенные экспериментальные исследования показали, что магнитное взаимодействие гетероструктуры (TeCo2/FeCo)n/LSMO имеет антиферромагнитный характер. Наблюдалось увеличение ширины линии ферромагнитного резонанса (ФМР) в структуре Pt/LSMO, вызванное протеканием в Pt спинового тока, возникающего в LSMO пленке при ФМР. В гетероструктуре TCFC/YIG наблюдалось электрического напряжение, наведенное в пленке интерметаллида TCFC, вызванное...
Обнаружены сильная анизотропия магнитной восприимчивости и качественно различное температурное поведение спонтанного слабоферромагнитного момента (сг0\\с-оси) в монокристаллах манганитов РгМпОз и NdMnOz, обусловленные анизотропными вкладами соответствующих редкоземельных ионов. В субмиллиметровых спектрах пропускания (г/ = 2 — 33 cm"1) обнаружено несколько линий поглощения, которые идентифицированы как моды антиферромагнитного резонанса (АФМР) ионов Мп и редкоземельные моды, связанные с электронными переходами внутри (а) основного квазидублета ионов Рг3+, расщепленного кристаллическим полем (~ 14.5 см~г), и (б) крамерсовского дублета ионов NcP+, расщепленного обменным полем (~ 14 ел»-1) Мпподсистемы. Наблюдаемые статические и динамические магнитные свойства РгМпОз и ИдМпОз проанализированы в рамках однодублетного приближения для ионов Nd3+ (Рг3+), и из сопоставления с экспериментом определены соответствующие компоненты д-тензоров дублета (квазидублета) и их расщепление в обменно...
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
полимер этилена [этена].
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве