Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расстояние между точками на кривой антиферромагнитного резонанса на половине ее высоты.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
пластмасса с использованием стирола или сополимеров стирола в сочетании с другими мономерами, причем стирол присутствует в наибольшем количестве.
полимер, полученный из двух или более видов мономера.