Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расстояние между точками на кривой ферримагнитного резонанса на половине ее высоты.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
индексы отражающей плоскости n -порядка.
изменение линейных размеров тел при изменении температуры.