электрохимическое травление, при котором обрабатываемый металл является анодом.
Затем осуществляется травление пленки диоксида кремния и в получившееся окно производят диффузию примеси...
анода, определяют основные параметры катодного электрического тока, то есть он полностью зависит от анодного...
Электроны, попавшие на анод, являются составляющими анодного тока, показатели которого в полупроводниковых
Основной целью работы являлось исследование режимов обработки и профилирования структур на основе арсенида галлия комбинацией методов локального анодного окисления и методом комбинированного плазмохимического травления с учетом напряжения формирования оксидного маскирующего слоя и времени травления. В данной работе для обработки приповерхностных структур на основе арсенида галлия использовалась комбинация методов локального анодного окисления и плазмохимического травления. Локальное анодное окисление проводилось посредством сканирующей зондовой микроскопии с применением кремниевого зонда. Плазмохимическая обработка осуществлялась в разряде комбинированной плазме с использованием двух типов разряда емкостного и индуктивно-связанного. Данная технология позволяет объединить достоинства двух типов разрядов. Высокая концентрация электронов и ионов обеспечивают высокую скорость травления, а емкостной разряд позволяет направлять полученные ионы по полю и направлять их перпендикулярно к обр...
процесс получения пленки в виде бесшовного рукава путем раздувания газом (обычно воздухом) горячей трубчатой заготовки, полученной экструзией расплава полимера через кольцевую экструзионную головку.
пластмасса с использованием стирола или сополимеров стирола в сочетании с другими мономерами, причем стирол присутствует в наибольшем количестве.
полимер, полученный из двух или более видов мономера.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
