Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
процесс исчезновения дислокаций разного знака в результате их взаимодействия; часто сопровождается образованием точечных дефектов.
Рассматривается эволюция дислокационных ансамблей с двумя системами скольжения под действием внешних стохастических сил. Системы скольжения перпендикулярны друг другу. Ранее методами численного моделирования [1] было установлено, что под воздействием внешних стохастических сил в подобных ансамблях образуются устойчивые структуры -квадруполи. В настоящей работе аналогичные расчеты выполнены с учетом аннигиляции и размножения дислокаций, что позволило расширить применяемость разработанной модели. Показано, что обнаруженные дислокационные структуры могут быть эффективными зародышами трещин.
Рассмотрены вопросы описания упрочнения монои поликристаллов как часть более широкой проблемы описания эволюции микрои мезоструктруры материала в процессах пластического деформирования. Предложен вид дополнительных слагаемых в законе упрочнения, описывающих явления аннигиляции дислокаций, взаимодействия расщепленных дислокаций и взаимодействия дислокаций с границами зерен
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).
пластмасса с использованием полимеров, в которых повторяющиеся структурные звенья в цепях относятся к эфирному типу и также присутствуют другие типы повторяющихся структурных звеньев, причем сложноэфирный компонент или компоненты представлены в наибольшем количестве.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне