Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
модель дифракционной структуры амплитудной голограммы; если амплитудная модель дифракционной структуры представлена знакопеременным набором двйствигегъных чисел, то допускается применять термин «биполярная амплитудная модель дифракционной структуры».
Разработана аналитическая модель дифракции оптического излучения на фазово-неоднородных голографических поляризационных дифракционных структурах в фотополимерно-жидкокристаллических материалах. Численное моделирование, проведенное на основе разработанной модели для дифракционных структур с однородным амплитудным и квазиквадратичным фазовым профилем, показало, что неоднородность структуры приводит к изменению ее угловой селективности.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
геометрическое место точек поверхности, в которых освещенность одинакова.
предел разрешения ЭОП при заданных освещенности и контрасте штриховой миры.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве