Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
модель дифракционной структуры фазовой голограммы.
Разработана аналитическая модель дифракции оптического излучения на фазово-неоднородных голографических поляризационных дифракционных структурах в фотополимерно-жидкокристаллических материалах. Численное моделирование, проведенное на основе разработанной модели для дифракционных структур с однородным амплитудным и квазиквадратичным фазовым профилем, показало, что неоднородность структуры приводит к изменению ее угловой селективности.
Представлена теоретическая модель последовательной записи наложенных голографических дифракционных структур пропускающего и отражающего типа в фотополимерных композиционных материалах с учетом фотоиндуцированного изменения оптического поглощения. На основе численного моделирования исследована временная динамика амплитуд пространственного профиля, дифракционной эффективности и угловой селективности записываемых наложенных фазовых дифракционных структур.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
внутренний элемент газоразрядного прибора для поддержания необходимого давления газа.
счетчик Гейгера-Мюллера, в котором гасящим агентом является галоген.