Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
вещества в твёрдом аморфном состоянии, обладающие свойствами полупроводников.
Изучены лабораторные образцы фоторезисторов и диодных структур на основе гидрогенизированного аморфного кремния, полученные методом ионной имплантации. Результаты исследований показывают перспективность применения данного полупроводника в качестве исходного материала для тонкоплёночных датчиков, в том числе и в интегральном исполнении.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.