Выбери формат для чтения
Загружаем конспект в формате doc
Это займет всего пару минут! А пока ты можешь прочитать работу в формате Word 👇
Лекция №7 АДСОРБЦИЯ РАДИОАКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ.
Введение
В радиохимии очень важную роль играют адсорбционные процессы, нередко приводящие к значительному перераспределению радионуклидов между раствором и образующейся или предварительно полученной твердой фазой (осадком), а также между раствором и контактирующими с ним материалами, такими как стекло, резина, металлы, пластики и др.
Сорбцией называется переход радионуклида из раствора на заранее сформированную твердую фазу, которая не претерпевает заметных изменений в течение сорбции.
Стабильную твердую фазу называют сорбентом, а распределяющееся вещество – сорбатом. Сорбирующие осадки могут быть веществами различной химической природы, и их объединяет единственное общее свойство-
малая растворимость в водных растворах.
Чаще всего используют сульфаты, сульфиды, фосфаты, смешанные ферроцианиды, галогениды, фториды и другие трудно растворимые соли.
Разнообразие веществ, применяемых в качестве сорбентов, предопределяет и многообразие свойственных им типов сорбционных процессов. Общепризнанной классификации сорбционных процессов с участием различных коллекторов пока не существует. Можно, например, различать ионную, молекулярную и коллоидную адсорбции. В зависимости от природы адсорбента различают адсорбцию на полярных кристаллах, на стекле, бумаге, коллоидных и аморфных осадках, а также на угле и ионообменных смолах.
Наиболее разработанной является теория сорбции на кристаллических осадках.
2. Адсорбция радионуклидов на полярных кристаллах.
Первые систематические исследования адсорбции радионуклидов на поверхности кристаллических осадков были выполнены К. Фаянсом и Ф. Панетом, которые сформулировали эмпирические правила соосаждения и адсорбции. По правилу соосаждения, сформулированному К. Фаянсом, чем меньше растворимость соединения, образуемого радиоактивным элементом с противоположно заряженным ионом осадка, тем большее количество этого элемента захватывается осадком.
Правило адсорбции, сформулированное Ф. Панетом, по сути дела не отличается от правила соосаждения Фаянса, вследствие чего их обычно объединяют под общим названием правила соосаждения и адсорбции Фаянса — Панета, Это объединенное правило можно сформулировать следующим образом:
радиоактивный элемент, находящийся в форме катиона или аниона тем сильнее адсорбируется выделяющимся или заранее приготовленным осадком, чем меньше растворимо соединение, которое образует этот элемент с противоположно заряженной частью осадка.
Однако со временем были установлены такие факты, которые находились в явном противоречии с этим правилом.
В частности, было установлено, что на величину адсорбции радиоактивных элементов сильное влияние оказывает, помимо растворимости, знак заряда поверхности осадка. Так, положительно заряженные золи галогенидов серебра не адсорбируют заметным образом положительно заряженных ионов свинца (ТЬВ). Наоборот, золи отрицательно заряженных галогенидов серебра адсорбируют ТЬВ, причем величина адсорбции растет с увеличением отрицательного заряда частиц адсорбента.
Отмеченные выше факты побудили О. Хана сформулировать правило адсорбции, учитывающее влияние не только малой растворимости, но и знака заряда поверхности осадка. Однако, как показали дальнейшие исследования правила Фаянса — Панета — Хана носят чисто качественный характер и не учитывают возможности проявления различных видов адсорбционных процессов, каждый из которых имеет свои особенности. В частности было установлено, что радионуклид может адсорбироваться и на одноименно заряженных поверхностях. В то же время иногда радионуклид не адсорбировался и на противоположно заряженных кристаллах.
Первое количественное описание адсорбционных явлений в радиохимии и их классификацию дал в своих работах А. П. Ратнер. Согласно классификации Ратнера, адсорбционные процессы на гетерополярных кристаллах по характеру
адсорбированных ионов и природе адсорбционных сил могут быть сведены к двум группам: к первичной и вторичной адсорбции.
В случае первичной адсорбции адсорбированные ионы входят в состав кристаллической решетки адсорбента. Первичная адсорбция подразделяется на первичную потенциалобразующую и первичную обменную.
В случае вторичной адсорбции адсорбированные ионы не входят в состав кристаллической решетки, а остаются в прилегающем к кристаллу тонком слое раствора. Вторичная адсорбция также делится на два вида: обменную и ван-дер-ваальсовскую. Вторичная обменная адсорбция обусловлена ионным обменом и электростатическим взаимодействием во внешней обкладке двойного слоя. Ван-дер-ваальсовская вторичная адсорбция связана с обменом адсорбированных молекул воды с ионами обоего знака в эквивалентных количествах.
При адсорбции радиоактивных элементов потенциалобразующая и ван-дер-ваальсовская адсорбция практически не имеют значения, так как обычно радиоактивный элемент находится в микроконцентрациях и поэтому не может создать потенциалобразующий слой.
Следует отметить, что, кроме первичной и вторичной адсорбции ионов, существует малоизученная форма адсорбции по всему объему кристалла, называемая внутренней адсорбцией. Внутренняя адсорбция может происходить, когда соосаждаемые радиоактивные и макроэлементы не изоморфны, но обладают сходной кристаллической структурой. Такая адсорбция с количественной стороны характеризуется константой фракционирования, являющейся постоянной величиной при постоянной концентрации радиоактивного элемента и уменьшающейся с ростом последней.
Первое обстоятельство сближает внутреннюю адсорбцию с сокристаллизацией, а второе обстоятельство — различает их. Константа фракционирования в сильной степени зависит от присутствия многовалентных катионов. При внутренне адсорбционных процессах термодинамическое равновесие устанавливается достаточно быстро. Впервые явление внутренней адсорбции было обнаружено Ханом при соосаждении микроколичеств свинца (ТЬВ), радия (ТЬХ) и полония с хроматами и сульфатами щелочных металлов.
Исходя из конкретных представлений о причинах возникновения отдельных видов адсорбционных явлений, А. П. Ратнер вывел ряд полуколичественных соотношений, описывающих процессы адсорбции радиоактивных элементов.
В основе теории адсорбции на кристаллических осадках лежит понятие о двойном электрическом слое, возникающем на границе раздела «раствор электролита — ионный кристалл или металл». Он характеризуется разностью потенциалов, которая зависит от активности электролита и описывается уравнением Нернста.
Двойной электрический слой образуется следующим образом. Поверхность кристалла состоит из положительных и отрицательных ионов, находящихся в равновесии с соответствующими ионами раствора. При этом на отдельных участках поверхности кристаллов появляется избыточный заряд, который компенсируется зарядом ионов раствора, образующих на поверхности адсорбента внутреннюю обкладку двойного слоя. Внешняя обкладка двойного электрического слоя составлена из ионов раствора, имеющих заряд, противоположный заряду поверхности.
Первым экспериментальным доказательством того, что адсорбция связана с образованием двойного электрического слоя, была работа по
изучению адсорбции 212 РЬ (ТhВ) на осадках йодистого серебра в присутствии избытка нитрата серебра или йодида калия в растворе. Было установлено, что при избытке KJ в растворе внутренняя обкладка двойного слоя состоит из ионов J- так как она всегда образуется одним из ионов, входящих в состав осадка. Поверхность кристалла AgJ имеет отрицательный заряд. Во внешнем диффузионном слое находятся ионы К+, называемые компенсирующими ионами. Картина меняется на обратную, если в растворе имеется избыток азотнокислого серебра. В этом случае поверхность кристалла AgJ заряжается положительно за счет адсорбции ионов Аg+, а компенсирующими ионами являются анионы NО3 -.
Первичная обменная адсорбция
Если ионный кристалл помещается в раствор, содержащий собственные, изотопные или изоморфные ионы, то между поверхностью кристалла и раствором весьма быстро устанавливается динамическое равновесие; при этом скорости перехода ионов с поверхности кристалла в раствор и из раствора в кристалл оказываются равными.
Перенос собственных изотопных или изоморфных ионов из раствора на поверхность ионного кристалла в результате кинетического обмена получил название первичной обменной адсорбции.
При первичной обменной адсорбции ионы радионуклида входят в поверхностный слой
кристалла адсорбента. По механизму первичной адсорбции из раствора могут
адсорбироваться те ионы, которые способны входить в кристаллическую решетку адсорбента.
Заметим, что для осуществления первичной адсорбции достаточно поверхностного изоморфизма между соответствующими соединениями. Так, хотя СаSO4 и ВаSO4 не способны совместно кристаллизоваться,
первичная адсорбция ионов кальция на осадке ВаSO4 имеет место, так как в данном случае
существует двумерное подобие между гранями кристаллических решеток обоих сульфатов.
При первичной адсорбции распределение адсорбируемого иона между раствором и поверхностью твердой фазы определяется соотношением:
= D (1)
где AS и АP - количество радионуклида на поверхности твердой фазы и в объеме раствора соответственно; ВS и ВP - количество макрокомпонента в этих фазах; D — коэффициент сокристал-лизации, величина которого зависит от температуры и природы участвующих в адсорбции ионов.
При адсорбции изотопных ионов D=1. Первичная обменная адсорбция была впервые изучена Ф. Пакетом на примере адсорбции ТhВ на поверхности кристаллов PbSO4. В этом случае соотношения между числами атомов радиоактивного и стабильного свинца на поверхности и в растворе должны быть одинаковы. Совершенно очевидно, что в случае первичной адсорбции ТhВ на кристаллическом осадке РbSО4 кинетический обмен между ионами поверхности осадка и ионами раствора должен приводить к выравниванию изотопного состава свинца на поверхности и в растворе.
Следует отметить, что АS , Ар и Вр можно определить экспериментально, тогда имеется возможность рассчитать ВS, а отсюда физическую поверхность осадка. С этой целью уравнение первичной обменной адсорбции приводится к виду:
= D (2)
где - коэффициент адсорбции, Х- доля адсорбированного радионуклида; С-концентрация макрок-та, моль/л; m- масса осадка; S- уд. поверхность осадка; σ – поверхность, занимаемая одним молем ионов макрок-та; V- объем раствора.
Следует отметить, что приведенные уравнения первичной обменной адсорбции строго выполняются лишь при соблюдении следующих условий:
1) в обмене участвуют только ионы поверхностного слоя кристаллического осадка;
2) в обмене участвуют все ионы, находящиеся на поверхности кристаллического осадка.
Используя уравнение (2), рассмотрим влияние различных факторов на процесс первичной обменной адсорбции.
Влияние поверхности осадка.
Согласно уравнению (2) коэффициент адсорбции Х/1-Х для данного осадка пропорционален массе адсорбента, что подтверждают результаты исследований многих авторов. В частности было обнаружено хорошее совпадение результатов опытов по определению поверхности кристаллических осадков РЬSО4, ВаСгО4, РЬСгО4 и т. д. с помощью первичной обменной адсорбции и микроскопических измерений.
Влияние концентрации собственных ионов.
Из уравнения (2) можно получить следующее выражение:
C= D =Const
Следовательно, увеличение концентрации вещества адсорбента в растворе должно приводить к уменьшению коэффициента адсорбции.
Влияние посторонних ионов. Влияние посторонних ионов на величину первичной обменной адсорбции в уравнении (2) в явной форме не проявляется. Наличие в изучаемом растворе некоторых посторонних ионов может оказывать лишь косвенное влияние вследствие изменения растворимости вещества адсорбента С.
Первичная обменная адсорбция является единственным видом адсорбционных процессов, который в ряде
случаев достаточно точно описывается правилом Фаянса — Панета.
Действительно, как видно из уравнения (2), при определенной массе и определенной удельной поверхности адсорбента коэффициент адсорбции будет тем больше, чем меньше С. Поскольку первичная адсорбция связана чаще всего лишь с захватом изоморфных ионов, соединения которых обнаруживают значительное сходство с веществом осадка, малая растворимость соединения адсорбируемого иона с противоположно заряженной частью осадка означает вместе с тем и малую растворимость адсорбента т. Последнее, в свою очередь, также приводит к увеличению коэффициента адсорбции.
Первичная потенциалобразующая адсорбция
Величина первичной потенциал-образующей адсорбции определяется зарядом поверхности, который, в свою очередь, зависит от разности потенциалов на границе кристалл — раствор и емкости двойного электрического слоя.
При этом необходимо иметь в виду, что скачок потенциала на границе «кристалл — раствор» определяется не только избытком одного из собственных ионов на поверхности кристалла, но и адсорбцией диполей слабых электролитов:
φi = (φ0 - φd) ±ln m, (3)
где m- молярная концентрация потенциалобразующего иона.
Заряд, аккумулированный на поверхности кристаллов вследствие избытка одного из ионов:
q=Cφi = C(φ0 - φd) ±Cln m (4),
Вместе с тем этот заряд должен быть равен:
q= N0 nF (5)
где N0 , — количество адсорбированного радиоактивного элемента, моль; п. — валентность иона; F — число Фарадея.
Отсюда легко вычислить число потенциалопределяющих ионов N0 (сверх стехиометрического соотношения) на поверхности всего кристаллического осадка:
N0 = = ln m (6)
Если общая поверхность кристаллического осадка равна S, а емкость единицы поверхности двойного слоя С0, то С = С0S. Тогда последнее соотношение может быть переписано в следующем виде:
N0 = ln m (7)
При экспериментальной проверке на примере изучения адсорбции ионов иода на диализированных золях иодида серебра оказалось, что lnN0 в довольно широких пределах концентрации ионов иода (10-3— 10 - 6 М) линейно зависит от ln т.
В заключение отметим, что первичная потенциалобразующая и обменная адсорбция — это адсорбция во внутренней обкладке двойного слоя, т. е. в поверхностном слое кристалла. Одной из особенностей такой адсорбции является то, что она сопровождается потерей адсорбирующимися ионами их гидратных оболочек.
§ 4. Вторичная обменная адсорбция
Случай вторичной обменной адсорбции является наиболее общим. Этому виду адсорбции подвержены в той или иной мере все ионы, находящиеся в растворе.
Представим себе частицы ионного кристалла, находящегося в растворе, который наряду с ионами радиоактивного элемента содержит отрицательно заряженные собственные ионы кристалла и положительно заряженные ионы других элементов.
По причинам, указанным выше, частицы ионного кристалла окажутся заряженными отрицательно, причем вблизи поверхности каждой из них возникнет положительно заряженный слой компенсирующих ионов. При этом все присутствующие в растворе ионы будут стремиться занять место во внешней обкладке двойного слоя, иначе говоря, будут в какой-то мере подвержены вторичной адсорбции.
Другими словами, вторичная обменная адсорбция – это перенос ионов радионуклида из объема раствора во внешнюю обкладку ДЭС.
Величина адсорбции радиоактивного элемента во внешней обкладке двойного слоя будет зависеть:
1) от общего числа вторично адсорбированных ионов (адсорбционной емкости), определяемого зарядом поверхности частиц, т. е. от первичной потенциалобразующей адсорбции;
2) от доли адсорбционной емкости, приходящейся на радиоактивный элемент.
В результате взаимодействия между ионами, находящимися во внешней обкладке двойного слоя и в растворе, будет достигнуто состояние равновесия, после чего соотношение между числами ионов различных элементов во внешней обкладке и в растворе будет оставаться неизменным.
Вторичная адсорбция не обладает избирательностью. В этом процессе могут принимать участие все ионы определенного знака.
Уравнение вторичной адсорбции имеет вид:
=abZ, где
- коэффициент адсорбции
Заметим, что коэффициент адсорбции отличается по своей величине от степени адсорбции (по сути Х равен S), a и b – стехиометрические коэффициенты. Характеризующие свойства ДЭС; Z- заряд радионуклида.
Из уравнения видно, что коэффициент адсорбции экспоненциально зависит от заряда сорбируемого иона. Существует и другое уравнение (рассмотрим позже)
Старик показал, что адсорбция ионов радия, актиния и тория на кристаллах йодида серебра при прочих равных условиях составила соответственно 7, 75 и 100%.
§ 6. Методы разграничения отдельных видов адсорбции
В процессах первичной адсорбции могут принимать участие только ионы, изотопные или изоморфные ионам кристаллического осадка. Поэтому добавление в раствор таких ионов должно оказывать сильное влияние на величину первичной адсорбции радиоактивного элемента. Введение же в раствор многовалентных сильно адсорбирующихся, но не изотопных и не изоморфных ионов не сказывается заметным образом на величине адсорбции.
В процессах вторичной адсорбции могут принимать участие все ионы, присутствующие в растворе. Поэтому добавление в раствор любых ионов должно оказывать влияние на число вторично адсорбированных ионов данного радиоактивного элемента. При этом особенно сильное влияние должно оказывать введение в раствор многовалентных ионов (А13+, Тh4+ и т. д.).
Правильность этих положений была подтверждена экспериментально: в случае первичной обменной адсорбции добавление неизоморфных ионов, в том числе и
многовалентных, не оказывает заметного влияния, в то время как добавление двухвалентных изоморфных ионов существенно изменяет величину адсорбции.
Другим методом, позволяющим разграничить первичную и вторичную адсорбцию, может служить наблюдение за характером зависимости величины адсорбции от концентрации собственных ионов. Так, для первичной обменной адсорбции.
C =Const,
а для вторичной обменной адсорбции
= a + blnC
Заметим, что существуют и другие механизмы сорбции радионуклидов на твердых поверхностях.
Адсорбция на гидроксидах
Адсорбция ионов на коллоидных и аморфных осадках, в том числе и на гидроксидах многовалентных металлов, отличается некоторыми особенностями от адсорбции на кристаллах. Важнейшим отличительным признаком является непостоянство свойств поверхности таких адсорбентов. Для гидроксидов характерны три вида адсорбции: ионообменная, молекулярная и хемосорбция. Наиболее хорошо изучена адсорбция ионов на Fе(ОН)3 и А1(ОН)3. На примере Се и К и показано, что гидроокиси Fе и А1 могут адсорбировать катионы путем первичной ионообменной адсорбции в потенциалобразующей обкладке, имеющей положительный заряд за счет катионов Fе3+ или А13+. Кроме первичной адсорбции на гидроокисях, наблюдается и вторичная ионообменная адсорбция ионов, закономерности которой в общих чертах совпадают с закономерностями
вторичной адсорбции на полярных кристаллах.
Коллоидные и аморфные тела проявляют и специфический вид обменной адсорбции, заключающийся в том, что при образовании адсорбенты могут удерживать часть электролита. Этот электролит при определенных условиях вступает в обменные реакции, причем степень адсорбции тем больше, чем меньше очистка адсорбента от электролита. Такая адсорбция имеет место даже в весьма концентрированных растворах, когда толщина двойного электрического слоя мала.
Хемосорбция наблюдается в том случае, если адсорбируемый ион образует на поверхности гидроокиси прочное химическое соединение. Молекулярная адсорбция была замечена при изучении адсорбции серебра на полуторных окислах.
Адсорбция на угле. Адсорбция радиоактивных элементов на угле изучалась одновременно с адсорбцией стабильных изотопов. Было показано, что механизм адсорбции зависит от физико-химических свойств поверхности угля. В качестве адсорбентов могут использоваться зольные, обеззольные и окисленные угли. Различают адсорбцию молекулярную, ионообменную, гидролитическую и другие типы.
Адсорбция радиоактивных элементов на стекле и бумаге. Важное практическое значение имеет адсорбция радиоактивных элементов на стекле и бумаге, из-за которой часто экспериментальные данные получаются ошибочными. Примером служат многочисленные исследования по определению растворимости сульфата радия. Для устранения вредного влияния адсорбции применяют удерживающие носители, которые препятствуют соосаждению. Например, полоний из разбавленных растворов в большой степени адсорбируется на стеклянной
поверхности. Добавление к полонию теллура—-антиносителя снижает процент адсорбции. Поэтому при работе с изотопами всегда следует учитывать адсорбционные свойства стекла и фильтрованной бумаги. Но следует заметить, что имеющиеся работы по этому вопросу не дают достаточно полного представления о механизме адсорбции.