Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
чугун с 10÷25% марганца, применяемый в производстве стали; имеет в изломе характерный зеркальный блеск.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
полимер этилена [этена].
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.