Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
элемент конструкции корпуса ФЭПП, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
семиэлектродная электронно-управляемая лампа, имеющая анод, катод, управляющий электрод и четыре дополнительных электрода.