Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствительной поверхности.
Приведены результаты исследований эффекта аномально высоких фотоэлектрических напряжений (АФН) в полупроводниковых пленочных системах. Изложена технология изготовления эффективного координатно-чувствительного приемника оптического излучения (ПОИ) из полупроводниковых соединений в виде ступенчатообразной АФН-пленки. На основе этого устройства разработан двухмерный координатно-чувствительный автономный ПОИ, выходной сигнал которого содержит информацию о направлении и величине смещения потока излучения по осям X и Y. Ил. 4, библиогр. 14.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
рефрактометр, применяемый при геодезических измерениях.
прибор для измерения яркости.