Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
Время задержки распространения при включении интегральной микросхемы
Предмет
Электроника, электротехника, радиотехника
👍 Проверено
Автор24
интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения.
Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»
Мощность накачки излучателя лазера
мощность, подводимая к излучателю лазера.
Сверхток
электрический ток, значение которого превышает заданное предельное значение.
- Время задержки включения интегральной микросхемы
- Время задержки распространения при выключении интегральной микросхемы
- Среднее время задержки распространения интегральной микросхемы
- Время включения интегральной микросхемы
- Время задержки выключения интегральной микросхемы
- Время задержки импульса интегральной микросхемы
- Время перехода при включении интегральной микросхемы
- Время задержки распространения сигнала при включении оптоэлектронного переключателя
- Время задержки включения полевого транзистора
- Время задержки включения оптоэлектронного переключателя
- Время восстановления интегральной микросхемы
- Время выборки интегральной микросхемы
- Время выключения интегральной микросхемы
- Время готовности интегральной микросхемы
- Время переключения интегральной микросхемы
- Время регенерации интегральной микросхемы
- Время успокоения интегральной микросхемы
- Время цикла интегральной микросхемы
- Интегральная микросхема
- Время задержки, время выполнения
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек