Глобальная оптимизация радиоэлектронной схемы
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения.
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
электрическая лампа, предназначенная для накачки лазера.
мощность, подводимая к излучателю лазера.