время, в течение которого при выключении диодов (тиристоров) они восстанавлившот способность блокировать протекание обратного ток; определяется как интервал времени от момента, когда ток проходит через нулевое значение, изменяя направление с прямого на обратное, и до момента, когда обратный ток уменьшается от амплитудного значения до заданного или когда экстраполированный обратный ток достигает нулевого значения.
Описывается переключательный высокоскоростной кремниевый диод на основе p+-n-n+ структуры. Быстродействие диода увеличено за счет уменьшения времени жизни неосновных носителей заряда в базе методом диффузии платины с последующим резким охлаждением. Результатом оценки быстродействия этих диодов является время восстановления обратного сопротивления в симметричном режиме переключения тока с 10мА до -10мА. В результате получены температурные зависимости времени обратного восстановления, времени жизни носителей заряда в базе и токов утечки для полупроводникового диода при различных технологических режимах диффузии платины. При увеличении температуры диффузии платины от 950оС до 1050оС время обратного восстановления исходной структуры диода уменьшено в 10 раз. Времена жизни неосновных носителей заряда в базе диода были сокращены с 610 нс до 4-5 нс.
Рассматриваются методы измерения сопротивлений потерь, накопленного заряда, времени обратного восстановления. Анализируются проблемы конструирования контактного устройства для измеряемых pin-диодов и калибровки.
насос, встроенный внутрь оболочки генераторной (модуляторной, регулирующей) лампы или соединенный с нею при помощи неразъемного соединения и предназначенный для поддержания в ней необходимого вакуума.
зависимость выходного напряжения от входного.
преобразование номера приходящего входного сигнала в выходной двоичный код.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне
