Геометрическая ось полупроводникового излучателя
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
интервал времени от момента приложения к прибору СВЧ напряжения накала до момента, когда параметры достигают заданных значений или изменяются со скоростями, не превышающими заданные.; для безнакальных приборов время готовности отсчитывают с момента приложения первого напряжения к электродам прибора, подачи СВЧ мощности или включения системы термостатирования.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения.
лампа, оптическое излучение в которой создает дуговой разряд.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне