Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
канал или отверстие для подачи расплава от центрального или разводящего литника непосредственно в гнездо пресс-формы.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.