Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
уменьшение напряжения, зависящее от времени, которое следует за снятием напряжения; мгновенное восстановление исключается.
разрушения, старения и изменения свойств материалов, в частности, на теории упругости, пластичности и ползучести...
приспособленность объекта к предупреждению и обнаружению причин возникновения отказов, а также поддержанию и восстановлению
Представлены теоретические основы термомеханической правки на основе ползучести и результаты экспериментальных исследований образцов, подвергнутых правке этим способом, на усталостные характеристики при симметричном цикле изменения напряжений консольным изгибом. Анализ экспериментальных данных показал практическую неизменность усталостных характеристик круглых образцов, подвергнутых правке.
В статье рассматривается вопрос ползучести швейных материалов при эксплуатации одежды, показаны кривые ползучести различных материалов, а также восстановления ползучести материала. Кроме того, представлена информация по релаксации напряжений в материалах, рассмотрены различные физические модели материалов
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
полимер, полученный из двух или более видов мономера.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне