Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
1) электродная деполяризация, обусловленная катодным выделением водорода; 2) катодная реакция восстановления ионов водорода.
На поверхности медной пластины образуется водородная пленка....
Для того чтобы уменьшить падение ЭДС гальванического элемента применяют различные методы деполяризации
Исследование электрофизических свойств материалов с водородными связями актуально в связи с широким их применением в современной изоляционной технике и оптоэлектронике. Как экспериментально и теоретически показано в работе [1], материалы с водородными связями можно квалифицировать как протонные полупроводники и диэлектрики, имеющие общий механизм электропереноса.
Самыми распространенными видами электрохимической коррозии являются водородная и кислородная деполяризация
Методами квазиклассической кинетической теории исследуется механизм протонно-релаксационной поляризации и термостимулированной деполяризации в кристаллах с водородными связями (КВС). Построены обобщенные выражения для комплексной диэлектрической проницаемости (КДП) и поляризации, выполняющиеся на основной частоте переменного поляризующего поля в бесконечном приближении теории возмущений по малому параметру. Установлено, что эффекты взаимодействия релаксационных мод объемной плотности заряда уже на основной частоте поля обусловливают аномально высокие поляризационные нелинейности, проявляющиеся в области сильных полей (10-1000 МВ/м) и сверхвысоких температур (550-1500 К). Построены обобщенные нелинейные по полю выражения для коэффициентов кинетического уравнения, позволяющие выявить влияние параметров поля (амплитуда и частота ЭДС) на микроскопические акты перебросов физических релаксаторов (протонов) через потенциальный барьер. Из решения общего квазиклассического кинетического урав...
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
дешевый ювелирный и декоративный сплав, содержащий 5% Ag, 5% Сu, Al - ост..
скорость увеличения линейного размера кристалла.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне