Ионный отражатель
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе интегральной микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое.
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
контуры сигнального графа, не имеющие общих узлов.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.