Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
один из трех векторов, определяющих смещение решетки в положение, при котором все ее узлы попадают в позиции узлов до смещения.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.